Penulis: Jacobus E. Lato | Editor: Priyo Suwarno
MINNESOTA, SWARAJOMBANG.COM– Para ilmuwan baru saja menemukan material tipis atom yang menghemat energi untuk chip memori dengan efisiensi mencapai 90%. Salah satu contoh material ini adalah Ni₄W yang terbuat dari campuran nikel dan tungsten, yang dikembangkan oleh University of Minnesota Twin Cities.
Material ini bisa mengendalikan magnetisme dengan sangat baik menggunakan metode spin-orbit torque (SOT), sehingga bisa mengubah posisi magnet tanpa membutuhkan medan magnet dari luar. Ini sangat membantu dalam menghemat energi, terutama saat menyimpan data di perangkat memori dan perangkat yang menggunakan sedikit energi.
Material ini juga siap untuk diproduksi secara besar-besaran dengan biaya yang terjangkau dan dapat menurunkan penggunaan daya di berbagai perangkat seperti ponsel, jam tangan pintar, dan pusat data.
Di sisi lain, penelitian lainnya menunjukkan bahwa pemakaian material 2D (lapisan tipis atom) seperti grafena dapat mengurangi penggunaan energi dengan ketebalan setingkat atom, yang sangat cocok untuk memori flash dan perangkat kuantum di masa depan.
Material 2D ini dapat mengurangi efek saluran dan meningkatkan efisiensi energi dalam chip memori yang sangat tipis.
- Ringkasnya, chip memori yang hemat energi hingga 90% dapat dicapai dengan:
- Material tingkat atom seperti Ni₄W yang bisa mengontrol magnetisasi tanpa medan luar.
Pemakaian material 2D seperti grafena dengan ketebalan atom untuk mengoptimalkan penggunaan energi dan kinerja.
Temuan ini merupakan langkah penting menuju teknologi memori yang lebih hemat energi dan lebih ramah lingkungan di masa depan.
Keuntungan
Penemuan material tipis atom Ni₄W membawa berbagai pengaruh positif bagi masa depan teknologi chip memori dan perangkat elektronik secara umum:
Pengurangan Konsumsi Energi: Material ini memungkinkan pengendalian magnetisme tanpa perlu medan magnet dari luar, yang berarti bisa mengurangi penggunaan daya secara signifikan, terutama saat menyimpan data. Hal ini akan membantu menghemat energi di perangkat seperti ponsel, jam tangan pintar, laptop, dan pusat data yang besar.
Performa Lebih Cepat dan Efisien: Dengan efisiensi tinggi dalam pengalihan magnet, teknologi memori yang menggunakan Ni₄W dapat meningkatkan kecepatan dan kecerdasan perangkat memori dan prosesor di masa depan, sehingga perangkat jadi lebih responsif dan tahan lama.
Biaya Produksi dan Skalabilitas: Karena Ni₄W dibuat dari elemen yang banyak dan bisa diolah dengan cara pembuatan standar, teknologi ini bisa diproduksi secara massal dengan biaya yang rendah dan mudah, mendukung adopsi yang luas di industri semikonduktor.
Dampak Lingkungan Positif: Dengan lebih sedikit penggunaan energi, jejak karbon dari perangkat elektronik bisa dikurangi, yang membantu menciptakan teknologi yang lebih ramah lingkungan dan berkelanjutan.
Pengembangan Perangkat Baru: Material ini membuka peluang untuk menciptakan generasi baru memori dan program logika berbasis spintronik, serta memori dengan kepadatan tinggi yang bisa digunakan dalam komputasi neuromorfik dan sistem elektronik canggih lainnya.
Secara keseluruhan, penemuan Ni₄W memiliki potensi untuk mengubah industri elektronik dengan menghadirkan perangkat yang lebih hemat energi, cepat, murah, dan ramah lingkungan, mendorong kemajuan dalam teknologi komputasi dan memori di berbagai bidang di masa depan. **
